笔试题和面试题答案(卡诺图)

更新时间:2023-07-17 11:54:07文/高考志愿库

21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种(区别,优

点),全加器等等。(未知)

22、卡诺图写出逻辑表达使。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)

23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛)

24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-

well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the

operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威

盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)

25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define

the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子)

27、用mos管搭出一个二输入与非门。(扬智电子笔试)

28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and

explain which input has faster response for output rising edge.(less delay

time)。(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)

29、画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路。(Infineon笔

试)

30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)

31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。(飞利浦-大唐笔试)

32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。(科广试题)

33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。(飞利浦-大唐笔试)

34、画出CMOS电路的晶体管级电路图,实现Y=A*B+C(D+E)。(仕兰微电子)

35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz'。(未知)

36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现(实际上就是化

简)。

37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。

(Infineon笔试)

38、为了实现逻辑(A XOR B)OR (C AND D),请选用以下逻辑中的一种,并说明为什

么?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)

39、用与非门等设计全加法器。(华为)

40、给出两个门电路让你分析异同。(华为)

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